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什么是IGBT？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET则驱动功率小、开关速度快，但导通压降大、载流密度小。而IGBT则兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的两方面优点。

IGBT由VOMOS及BJT组成。VOMOS是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高但输入电容大，IGBT是VOMOS在前BJT在后，在高压大电流应用时，后级的BJT压降小、导通电阻的效率高，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。简单点说就是大功率的开关器件。

半导体生产不论是前道还是后道都需要用到一种设备，X射线实时在线成像设备，通过X射线的成像原理准确的检测出缺陷，提升良品率等。

针对半导体器件X射线检测需求，日联科技推出了一款在线式设备——LX2000。设备外形美观、检测区域大、分辨率强、放大倍率高，系统采用封闭式射线源和平板探测器作为核心部件，具备良好的检测效果。

先进的IGBT技术加上高效的检测手段，势必能为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。

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